GLOBALFOUNDRIES เปิดเผยเทคโนโลจีของ 7nm FinFET semiconductor

GLOBALFOUNDRIES วันนี้ออกมาเปิดเผยแผนงานชิ้นใหม่สำหรับตัว 7nm FinFET semiconductor technology ที่จะมาพร้อมประสิทธิภาพที่เหลือเชื่อสำหรับหน้าประวัติศาสตร์ใหม่ในด้านการคำนวณและการประเมินผล/computing applications. เทคโนโลจีนี้มาพร้อมการประมวลผลที่มีพลังอันมหาศาลสำหรับ data centers, networking, premium mobile processors, และ deep learning applications/ พื้นฐานของการเรียนรู้เชิงลึก.

GLOBALFOUNDRIES กับแผนงานตัวใหม่ 7nm FinFET technology คาดว่าจะมาพร้อมขีดความสามารถเพิ่มเป็นสองเทาในด้าน logic density และเพิ่มอีก 30 percent ประสิทธิภาพในด้าน boost เมื่อเทียบกับ ณ วันนี้ 16/14nm  FinFET ที่ให้มา. ตัวฐานยังคงเป็นแบบมาตรฐานของ FinFET transistor architecture และ optical lithography(การถายทอดลวดลายวงจร ขนาดเล็กมากดวยแสงสองผาน mask pattern ลงบนแผนฐานตาง ๆ ที่เคลือบดวยฟลม บาง ๆ จากสารละลายเคมีไวแสงที่เรียกวา photo resist), กับ EUV/ Extreme ultraviolet lithography (เป็นเทคนิคสำหรับการพิมพ์ลายวงจรไฟฟ้าหรือเซอร์กิต (circuit) ลงบนซิลิกอนเวเฟอร์ (silicon wafer) แบบใหม่ล่าสุด โดยเครื่องจะสามารถย่อลายวงจรและพิมพ์ภาพโครงสร้างวงจรลงบนแผ่นซิลิกอน หลังจากทำตามขั้นตอนก็จะได้ลายแผงวงจรทองแดงขึ้นบนชิ้นงานตามภาพพิมพ์) ซึ่งยังสามารถทำได้ในระดับนี้. ด้วยแนวทางนี้สามารถทำให้ขั้นตอนการผลิตนั้นเร็วยิ่งขึ้น และยังสามารถนำอุปกรณ์ต่างๆที่ใช้ในการผลิต 14nm FinFET technology นำกลับมาปรับปรุงและใช้ใหม่ได้, ซึ่งตอนนี้อยู่ในสายพานผลิตในที่ Fab 8 campus ในเมือง Saratoga County, N.Y. GLOBALFOUNDRIES วางแผนที่จะลงทุนเพิ่มเติมที่่ Fab 8 อีกหลายพันล้านเหรียญเพื่อพัฒนาและผลิต 7nm FinFET.

“ภาคอุตสาหกรรมกำลังมุ่งหน้าสู่ 7nm FinFET และมันจะอยู่ยาวสำหรับ node ใหม่นี้, และมันจะเป็นตัวที่นำความสำเร็จมาสู่ GLOBALFOUNDRIES และเป็นผู้นำในด้านนี้โดยเฉพาะ,” กล่าวโดยประธาน GLOBALFOUNDRIES CEO Sanjay Jha. “พวกเรามีประสบการ์ณจากการพัฒนาชิปรุ่นต่างๆที่ผ่านมาและในครั้งนี้จะสามารถสร้างสิ่งที่แตกต่างไปกว่าเดิมในตัว 7nm FinFET technology และผู้ร่วมพัฒนาจาก IBM Microelectronics ที่เป็นผู้มากประสบการ์ณทางด้าน world-class R&D ร่วมกันเพื่อจะสร้างประวัติศาสตร์หน้าใหม่ในการผลิตชิปที่เปี่ยมไปด้วยพลังอันมหาศาลนี้.”

“ทาง GLOBALFOUNDRIES ได้ตัดสินใจอันแน่วแน่จาก 14nm ข้ามไปยัง 7nm–ซึ่งได้รับการสนับสนุนจากบริษัทชั้นนำทางด้าน semiconductor เพื่อที่จะหลีกเลี่ยงกับการพัฒนาตัว 10nm process nodeที่ให้ผลตอบแทนไม่มากและต้นทุนที่สิ้นเปลืองเกินไป,” กล่าวโดย นาย Jim McGregor, ผู้ก่อตั้งและทีมวิจัยจาก TIRIAS Research. “มันช่างเหมือนกับตัว 28nm และ 16/14nm process nodes, ส่วนตัว 7nm จะดูเหมือนเป็นตัวที่น่าเล่นที่สุดเพื่อมาเป็น process node รุ่นต่อไปและสามารถใช้ได้กว้างขวางกว่าและทุกๆด้านในกลุ่ม semiconductor industry ในอีก 10 ปีข้างหน้า.”

“การเป็นผู้นำของ GLOBALFOUNDRIES กับตัว 7nm FinFET เป็นส่วนหนึ่งที่สำคัญสำหรับการวางแผนการในอนาคตในด้าน computing และ graphics products ซึ่งจะสามารถตอบโจทย์ได้ทุกด้านสำหรับการเปลี่ยนแปลงที่จะเกิดขึ้นในเร็วๆนี้,” กล่าวโดย  Dr. Lisa Su, ประธานจากทาง AMD. “เรากำลังก้าวเดินไปข้างหน้าพร้อมกับ GLOBALFOUNDRIES เหมือนอย่างที่เคยทำมากับตัว 14nm และครั้งนี้มันจะมาพร้อมประสิทธิภาพที่เหนือกว่า การใช้พลังงานที่มีประสิทธิภาพมากยิ่งขึ้นสำหรั บ 7nm technology ที่กำลังจะมาถึง.”

“IBM ยึดมั่นที่จะทะลวงกำแพงที่จำกัดของ semiconductor technology ให้ได้,” กล่าวโดย Arvind Krishna,รองประธานและกรรมการจาก IBM Research. “IBM Research ยังจะสนับสนุนและอยู่เคียงข้างกับ GLOBALFOUNDRIES เพื่อการพัฒนาสิ่งใหม่ๆ, เทคนิคใหม่ๆและเทคโนโลจีใหม่ๆออกมาเพื่อพัฒนาตัว 7nm technology ให้เร็วยิ่งขึ้นและให้ไปได้ไกลเท่าที่จะเป็นได้.”

ทาง GLOBALFOUNDRIES วางแผนเอาไว่ว่าจะสามารถครอบคลุมได้ทุกภาคส่วนสำหรับการพัฒนาตัวชิปใหม่นี้ และจะสามารถผลักด้นให้ลูกค้าหันมาใช้ 7nm FinFET technology ให้เร็วขึ้น, ทาง GLOBALFOUNDRIES ได้ขยายกลยุทธ์ไปสู่ผู้ร่วมทีมด้วยกับ INVECAS เพื่อให้ก้าวผ่าน 14LPP และ FDX processes/Fetch-Decode-Execute Cycle /กระบวนการประมวลผล เพื่อก้าวไปสู่ 7nm process technologies. เพื่อรองรับการมาของตัวชิปใหม่ให้ทัน ไม่ว่าจะเป็นทางด้านประสิทธิภาพ พลังงาน หรือปุกรณ์ที่จะต้องมารองรับในอนาคต.

“INVECAS เป็นผู้เชี่ยวชาญทางด้าน IP solutions, ASIC/application-specific integrated circuit และ design services ให้กับลูกค้าของ GLOBALFOUNDRIES ที่ขยายตามเทคโนโลจีของ GLOBALFOUNDRIES ไม่ว่าจะเป็นตัว FinFET และ FDX processes,” กล่าวโดย Dasaradha Gude, ประธาน CEO, INVECAS. “กลยุทธ์ของเรากับทาง GLOBALFOUNDRIES ได้ผสมผสานกันเพื่อการออกแบบตัว IP model รูปแบบใหม่เพื่อมารองรับและพัฒนาของตัว 7nm FinFET process และ IP นี้จะต้องเป็นรากฐานหรือมาตรฐานใหม่ที่จะต้องตอบโจทย์ให้กับลูกค้า 7nm ให้ได้.”

การสร้างและพัฒนา 14LPP technology platform ที่สำเร็จรุล่วงไปแล้วนั้น, สำหรับทาง GLOBALFOUNDRIES กับ 7nm FinFET technology ก็คงจะไปตามทางแนวเดียวกันเพื่อให้ไปสู่อีกยุคสมัยหนึ่งในด้าน computing applications ซึ่งจะต้องมีมาพร้อมประสิทธิภาพที่มากกว่าเดิมหลายเท่า/ultra-high performance, ไม่ว่าจะเป็น high-end mobile SoCs จนกระทั้งตัว processors สำหรับระบบ cloud servers และ networking infrastructure/โครงสร้าง. ทางด้านบริษัทที่เชี่ยวชาญทางด้านประสิทธิภาพที่สูงกับ 22FDXTM และ 12FDXTM technologies, ซึ่งจะต้องพัฒนาและสามารถเสนอความต้องการ ทางด้านการใช้พลังงานที่ประหยัด เกี่ยวกับอุปกรณ์ที่เชื่อมต่อโครงข่ายในอนาคต เช่น อุปกรณ์เคลื่อนที่ทางด้านคำนวณ และ 5G connectivity จนถึงระดับ artificial intelligence/AI และอุตสาหกรรมยานยนต์ด้วยเช่นกัน.

GLOBALFOUNDRIES กับ 7nm FinFET technology จะต้องสามารถรองรับและเป็นโครงสร้างฐานใหม่ และกับตัว intellectual property (IP) ที่จะมีความซับซ้อนมากขึ้น, ในที่นี้รวมไปถึง application-specific integrated circuit (ASIC) ด้วย. การทดสอบชิบกับ IP จากลูกค้าระดับแนวหน้าได้เริ่มขึ้นแล้วที่ Fab 8. และเทคโนโลจีนี้จะพร้อมสำหรับลูกค้าในกลุ่ม product design น่าจะเป็นไตรมาสที่สองของปี 2017, และจะเข้าสายพานการผลิตจริงในต้นปี 2018.

ที่มาเครดิต

https://www.techpowerup.com/225858/globalfoundries-announces-its-7-nm-finfet-technology