รายงานจาก EETimes เผยว่า Intel กำลังผลิต MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) ซึ่งเป็นมาตรฐานหน่วยความจำแบบ Non-volatile ครับ
เนื่องจากหน่วยความจำแบบ Non-volatile หมายความว่าข้อมูลที่อยู่ภายใน MRAM จะยังคงอยู่แม้ไม่มีกระแแสไฟฟ้าไหลผ่าน มันเลยดูเหมือนจะเป็นหน่วยความจำสำหรับเก็บข้อมูล มากกว่าที่จะเป็นแรม
แต่ไม่ว่ามันจะทำออกมาเป็นแบบไหน เรามาดูข้อดีของมันก่อนเลยดีกว่า MRAM ถูกพัฒนาขึ้นเพื่อทดแทนส่วนของ DRAM และ NAND ซึ่งกำลังถูกจำกัดด้วยโหนดการผลิต แต่ MRAM สามารถออกแบบได้ง่ายมากขึ้น
นอกจากนี้ การเข้าถึงข้อมูลใน MRAM ยังใช้ระยะเวลาเพียงแค่ 1ns ซึ่งดีกว่า DRAM และยังสามารถเขียนข้อมูลได้เร็วกว่า NAND ถึง 1000 เท่า
ส่วนเรื่องของความทนทานนั้น MRAM สามารถกักเก็บข้อมูลเดิมไว้ได้นานถึง 10 ปี เมื่อทำงานในสภาวะที่ร้อนถึง 200 องศาเซลเซียส ในขณะที่การอ่านเขียนทำได้มากกว่า 1 ล้านครั้ง
สุดท้ายนี้ไม่ว่า MRAM จะทำออกมาในรูปแบบใด แต่ก็จัดว่าเป็นเทคโนโลยีที่น่าสนใจมากเลยทีเดียวครับ
ขอขอบคุณข้อมูลจาก Techpowerup
You must be logged in to post a comment.