ก่อนหน้านี้เคยมีข่าวการร่วมมือกันระหว่าง AMD และ Samsung เพื่อพัฒนาฟีเจอร์ที่รองรับแรม DDR5 ความเร็วสูง ล่าสุด มีข้อมูลมาว่า AMD กำลังพัฒนาฟีเจอร์ EXPO สำหรับใช้ในการปรับแต่งแรมในอนาคตครับ
จริง ๆ เรื่องของ AMD EXPO นี้ไม่ใช่ข่าวใหม่นะครับ เพราะเคยมีเอกสารข้อมูลหลุดออกมาตั้งแต่เดือนกุมภาพันธ์ที่ผ่านมา เพียงแต่ ณ ตอนนั้นยังไม่ทราบว่ามันคือฟีเจอร์อะไรกันแน่ จนกระทั่งหลังจากที่ AMD ได้ร่วมมือกับ Samsung ก็ได้มีข้อมูลของฟีเจอร์ EXPO นี้ออกมาครับ
จากเอกสารล่าสุดเผยว่า AMD EXPO จะเก็บโปรไฟล์ในการปรับแต่งแรม DDR5 ไว้ 2 แบบ ได้แก่ โปรไฟล์ที่เน้นแบนด์วิดธ์สูง ๆ และอีกโปรไฟล์หนึ่งเน้น Latency ต่ำ ๆ ซึ่งจะเหมือน XMP แบบที่ใช้กันในปัจจุบันนั่นเองครับ
ทั้งนี้ EXPO จะมีจุดเด่นเหนือกว่า XMP ตรงที่ว่ามันถูกออกแบบมาเพื่อเน้นการปรับแต่งค่าเฉพาะ ในขณะที่ XMP Profile I และ II จะเป็นค่าที่ถูกปรับมาจากผู้ผลิตเมนบอร์ด และค่าที่ถูกปรับมาจากค่าของโรงงาน ตามลำดับครับ (จะเห็นว่ามันไม่ได้เน้นที่จุดใดจุดหนึ่งเหมือนกรณีของ EXPO)
นอกจากนี้ EXPO ยังสามารถทำงานร่วมกับแรม DDR5 ได้ทุกรูปแบบ ทั้ง UDIMM, RDIMM และ SO-DIMM เพราะฉะนั้น ผู้ใช้จะสามารถเปิดใช้งานฟีเจอร์เหล่านี้ในไบออสของโน้ตบุ๊กได้ด้วยนั่นเองครับ
อย่างที่ AMD เคยกล่าวไว้ว่า แพลตฟอร์มใหม่ของ Ryzen จะรองรับแรม DDR5 ที่ความเร็วสูงได้ดียิ่งขึ้น และทำให้ผู้ใช้สามารถปรับค่าแรมที่มีบัสสูงได้ง่ายขึ้นและเป็นไปได้ด้วย (อย่างเช่น ADATA ที่มีข่าวการเปิดตัวแรม DDR5 บัส 8400-12600 MHz)
ขอขอบคุณข้อมูลจาก Videocardz
You must be logged in to post a comment.