ถ้าพูดถึงเรื่องแรม สำหรับแบรนด์ผู้ผลิตเม็ดแรมที่น่าจะเป็นที่รู้จักกันมากที่สุด คงหนีไม่พ้น SAMSUNG ไม่ว่าจะเป็นวงจรควบคุมแรมในซีพียู Ryzen หรือเม็ดแรมในแรมของ G.Skill และ Corsair ต่างใช้แรมจาก SAMSUNG ทั้งสิ้น
ซึ่งวันนี้นาย Gyoyoung Jin ผู้บริหารธุรกิจทางด้านหน่วยความจำทางอิเล็กทรอนิกส์ของ SAMSUNG ได้ออกมาเปิดเผยว่า ขณะนี้ทางบริษัทกำลังเพิ่มการผลิต DRAM ขนาด 8 GB ซึ่งเป็นแรมรุ่นที่ 2 ในกระบวนการผลิตขนาด 10 นาโนเมตรครับ
ซึ่งสายการผลิตแรมรุ่นที่ 2 นี้ จะช่วยเพิ่มปริมาณการผลิตได้มากกว่ารุ่นเก่าถึง 30% และแรมที่ได้จะมีประสิทธิภาพสูงกว่ารุ่นก่อนถึง 10% รวมทั้งยังมีการใช้พลังงานได้ดีขึ้นกว่า 15% เลยทีเดียว เนื่องจากมีการปรับใช้เทคโนโลยีใหม่ที่ SAMSUNG เรียกว่า “Air-Space” เป็นการลดตัวเก็บประจุที่ไม่มีประโยชน์ ซึ่งช่วยให้แรมทำงานได้ดีขึ้น แต่กินไฟน้อยลงครับ
เทคโนโลยีดังกล่าว ไม่ได้ใช้แค่ใน DRAM DDR4 นะครับ แต่ยังใช้ใน DRAM ประเภทอื่นๆ ด้วย ซึ่งรวมถึง HBM3, DDR5, GDDR6 และ LPDDR5 ด้วย
ก็ถือว่าเป็นอีกข่าวที่น่าสนใจนะครับ ส่วนตัวผมคิดว่า ถ้ามันช่วยเพิ่มการผลิตให้มากขึ้น ก็น่าจะช่วยลดเรื่องของแรมขาดตลาดและราคาแรมที่สูงด้วยครับ
ขอขอบคุณข้อมูลจาก https://overclock3d.net/news/memory/samsung_starts_mass_producing_their_2nd-generation_10nm_class_dram/1
You must be logged in to post a comment.