SK Hynix ประกาศจะเปิดตัว GDDR6 memory ภายในปี 2018, แรงเป็นสองเท่าหากเทียบกับ GDDR5 พร้อมด้วยแรงไฟที่น้อยกว่าถึง 10% voltages.
สำหรับ GDDR6 memory ใหม่นี้จะใช้กระบวนการผลิตรูปแบบ 20nm memory manufacturing process และจะมีความเร็ว 16Gbps ที่เป็น memory bandwidth per/ต่อ pin. รวมแล้วจะเร็วได้ที่ 768Gbps ที่เป็น memory bandwidth เมื่อใช้ 384-bit memory bus, หากเทียบประสิทธิภาพกับ Titan Xp ซึ่งให้ความเร็วที่ 548Gbps ที่เป็น memory bandwidth และใช้ขนาด bus ที่เท่าๆกันบน GDDR5X.
ไม่เพียงแต่ประสิทธิภาพที่ได้มาเพื่มแต่ทางด้านพลังงานด้วยเช่นกันและการต้องการใช้ชิปนั้นก็จะลดน้อยลง ความร้อนก็ลดลงตาม.
SK Hynix Inc. (หรือ ‘the Company’, www.skhynix.com) วันนี้ประกาศอย่างเป็นทางการได้สร้าง 2Znm 8Gb(Gigabit) GDDR6(Graphics DDR6) DRAM ที่เร็วที่สุดในดลก. สามารถประมวลผลในรูปแบบ I/O data rate/ทางด้านถ่ายโอนข้อมูลเร็วที่ 16Gbps(Gigabits per second/ต่อวินาที) per/ต่อ pin, ซึ่งเร็วที่สุดในวงการนี้ ณ ปัจจุบัน. สำหรับกราฟฟิการ์ดในระดับ high-end ที่เป็น 384-bit I/Os, DRAM ใหม่นี้สามารถประมวลผลได้มากถึง 768GB(Gigabytes) ในด้าน graphics data per second/ต่อวินาที. ทาง SK Hynix วางแผนจะเปิดสายพานผลิตและวางตลาดสำหรับกลุ่ม high-end graphics ออกมาต้นปี 2018 และมันจะเป็น GDDR6 DRAMs.
สำหรับตลาด GPU ที่จะหันไปใช้ GDDR6 ถือว่าเป็นเรื่องใหญ่, และยังไม่เป็นที่แน่นอนว่าทิศทางการตลาดนั้น GDDR6 หรือ HBM2 จะเป็นเจ้าตลาดกันแน่ในระดับ high-end GPU. สำหรับ GDDR6 จะเป็นอะไรที่ง่ายกว่าในแง่ของการใช้งาน, แต่สำหรับ HBM2 นั้นต้องการ interposer/ตัวต่อเชื่อม,ในการถ่ายโอน แต่ในแง่ดีสำหรับ HBM2 นั้นด้านดีเลย์จะน้อยกว่า/lower latency และค่า bandwidth มีขีดความสามารถที่ดีกว่าหากกล่าวถึงขนาดความจุของแต่ละชิป.
สำหรับทาง Nvidia ตอนนี้มีแผนที่จะเปิดตัว Volta-series GPUs โดยจะใช้ GDDR6 memory, แต่ก็ยังไม่เป็นที่แน่นอนเช่นกันสำหรับแผนการต่อไปสำหรับตลาดผู้บริโภคทั่วไปว่าจะใช้ HBM2 กับ GPU หรือไม่.
ที่มาเครดิต/Sources:
https://www.overclock3d.net/news/memory/sk_hynix_s_gddr6_memory_will_release_in_2018/1
You must be logged in to post a comment.